SRAM
GSI Technology（GSIT）：銷售獨立 SRAM，也開發 APU 產品。獨立 SRAM 不等於所有 AI 晶片內部的快取。
供應商產品依據 ↗SRAM、DRAM、HBM 有什麼區別？AI 記憶體指南
記憶體架構、供應商業務與投資研究要點。
核心區別
- SRAM 是高速工作記憶體，常用於處理器內部的小型快取。
- DRAM 儲存執行中的資料。HBM 是採用堆疊與寬介面的 DRAM，強調高頻寬，不是另一種並列的記憶體大類。
- NAND 快閃記憶體斷電後仍保留資料。SSD 通常用 NAND 做儲存，不能直接替代工作記憶體。
AI 加速器周圍的記憶體層次
加速器封裝
GPU 晶片
計算核心 + SRAM 快取
HBM · DRAM
GPU 附近的工作資料
伺服器記憶體 · DRAM
例如 CPU 使用的 DDR5 記憶體模組
長期儲存 · NAND / SSD
斷電後儲存檔案和資料集
比較優勢與侷限
頻寬是每秒傳多少資料，延遲是訪問要等多久，容量是能裝多少。頻寬高，不代表每次訪問的等待時間最短。
| 技術 | 用途 | 優勢 | 侷限 |
|---|---|---|---|
| SRAM | 常用於處理器附近小型快取的高速工作記憶體。 | 訪問延遲低，無需週期性刷新。 | 儲存單元較大，單位面積容量較低、每位元成本較高。 |
| DRAM | 電腦執行時暫時存放資料的工作記憶體。 | 相比 SRAM，同樣晶片面積可容納更多資料。 | 需要刷新；訪問延遲通常高於 SRAM。 |
| HBMDRAM 的一種 | 將 DRAM 堆疊起來，向加速晶片高速輸送大量資料。 | 靠近加速晶片，在緊湊封裝內提供高頻寬。 | 堆疊、封裝與散熱增加工程複雜度。 |
| NAND | 斷電後仍能儲存資料的儲存晶片。 | 斷電保留資料，適合大容量儲存。 | 速度低於工作記憶體，寫入壽命有限。 |
SRAM 不需週期性刷新，但仍會在斷電後丟失資料。DRAM（包括 HBM）需要供電與刷新。本表中只有 NAND 屬於非易失儲存。
哪些公司供應什麼？
以下為美股公司示例，不是完整供應商名單或排名。產品用於 AI，並不意味著已經確定這家公司有多少 AI 收入。
DRAM
美光（MU）：DRAM 是其核心產品業務。
供應商產品依據 ↗HBM
美光（MU）：直接銷售 HBM，但不是隻做 HBM 的公司。
供應商產品依據 ↗NAND
閃迪（SNDK）：快閃記憶體儲存是核心業務。美光（MU）也供應 NAND 和 SSD。
供應商產品依據 ↗輝達設計的加速器包含快取，也使用外部記憶體。這不代表輝達向市場銷售獨立 SRAM；GPU 快取增加也不自動轉化為 GSI Technology 的訂單。
投資研究框架
以下是研究問題，不是收益預測。對具體公司下結論前，應檢視有日期的最新披露。
- 宣佈擴產 HBM？ 核查客戶認證、合格產出與出貨時間，再比較利潤率與資本支出；宣佈產能不等於已確認收入。
- DRAM 或 NAND 漲價？ 區分售價上漲和出貨增長，對照庫存與新增供給，不把單個強勁季度當作永久獲利水平。
- AI 晶片用了更多 SRAM？ 先區分片上快取與獨立採購的元件；確認供應關係後，再判斷哪家上市公司受益。
- 業務增長與估值 一起看現金流、債務、股數攤薄和當前估值。技術優勢本身並不能證明股價有吸引力。
技術來源
- IBM · DIMM / SRAM / DRAM — 記憶體類別與伺服器記憶體模組。
- Micron · HBM — 堆疊 DRAM、寬介面與封裝整合。
- IBM · NAND flash — 非易失儲存與寫入壽命。
- Sandisk · RAM and flash — 工作記憶體與長期儲存的區別。
- NVIDIA · Hopper architecture — GPU 快取與 HBM 的具體例項，並非所有 GPU 的統一結構。